资料显示台积电美国工厂将引入2nm工艺 最早于2028年投产

本月15日，资料最早美国商务部最终敲定了台积电（TSMC）在亚利桑那州新建Fab 21项目的显示款项，授予高达66亿美元的台积投产直接拨款，以支持整个园区大概650亿美元的电美建设支出，其中将兴建三间晶圆厂。国工工艺整个项目将创造6000多个直接制造工作岗位，引入于年以及超过20000个累计的资料最早建筑工作岗位。

据报道，显示台积电向美国商务部提交的台积投产信息显示，最早于2028年在美国开始生产2nm芯片。电美根据Fab 21项目制程工艺路线安排，国工工艺将引入A16和N2系列（N2、引入于年N2P和N2X）工艺，资料最早均属于2nm制程节点，显示量产启动时间比起中国台湾的台积投产晶圆厂要晚大概三年。

Fab 21一期工程初期投入120亿美元，选择了4/5nm工艺的生产线，已进行了试产，计划在2025年上半年投产;二期工程原计划选择3nm工艺的生产线，现在将推进至2nm工艺，预计在2028年投产，前两期工程加起来的总产能为每月5万片晶圆;新增三期工程将采用2nm或更先进的制程技术，预计2030年之前投产。

台积电在2nm制程节点将引入GAA晶体管架构，有望显著降低功耗，提高性能和晶体管密度，带来质的改变。按照台积电之前的说法，台积电只有在大规模量产后，才会考虑迁移到下一个制程节点，而且新一代半导体工艺的研究会在中国台湾展开，以保持半导体技术上的领先地位。